姓 名: 张敏
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邮 箱：zhangm@imnu.edu.cn
通讯地址：太阳成集团tyc234cc（盛乐校区）太阳成集团tyc234cc
一、个人简介
张敏，女，1973年2月生，硕士生导师，教授。主要从事低维半导体材料量子结构电子态、激子态、电学、磁学、光学性质的理论计算以及二维复合光催化材料性能和钙钛矿光伏材料的第一性原理研究。在新型材料的设计及物理性能计算方面具有丰富的经验。在 Nanoscale,、J. Phys. Chem. C、 J. Phys. D等期刊上发表论文 40余篇，出版学术专著 1部。2011年获北京大学访问学者优秀科研成果奖， 2014年获太阳成集团tyc234cc科研一等奖。 主持完成 2项国家自然科学基金项目、 3项内蒙古自然科学基金并参与多项国家与省部级项目。 承担本科生“电磁学”“固体物理”“计算物理”等课程教学任务。
二、教育经历
2004/09–2010/01，内蒙古大学，物理系，博士
2001/09–2004/06，内蒙古大学，物理系，硕士
1991/09–1995/07，内蒙古大学，物理系，学士
三、工作经历
2016/01－ 至今， 太阳成集团tyc234cc，太阳成集团tyc234cc，教授；
2011/12－2015/12，太阳成集团tyc234cc，太阳成集团tyc234cc，副教授；
2010/09－2011/06，北京大学物理学院，访问学者；
2006/11－2011/12，太阳成集团tyc234cc，太阳成集团tyc234cc，讲师；
2004/09－2006/11，太阳成集团tyc234cc，太阳成集团tyc234cc，助教；
四、教学情况
承担本科生“电磁学”“固体物理”“计算物理”“半导体物理”以及“大学物理”等课程；
五、研究领域
主要从事低维材料物理性能以及光催化材料、光伏材料的设计与性能的第一性原理研究。
六、荣誉奖励
1. 太阳成集团tyc234cc第十一届科研成果一等奖；
2. 太阳成集团tyc234cc第十一届科研成果三等奖；
七、科研项目
1. 国家自然（地区）科学基金项目，11364030，AlGaN基光偏振调制和深紫外发光机理研究，2014/01-2017/12，主持；
2. 国家自然（专项）科学基金项目，11047018，InGaN/GaN纳米线异质结构的受限激子态及带间光跃迁，2011/01-2013/12，主持；
3. 内蒙古自然科学基金项目，2020MS01009，二维InSe及其异质结的电子结构和光催化性能的调控研究，2020/01-2022/12，主持；
4. 内蒙古自然科学基金项目，2015MS0127，ZnO基纳米线异质结中的激子态问题研究，2015/01-2017/12，主持；
5. 内蒙古自然科学基金项目，InGaN合金半导体的发光机制，2010BS0101，2010/01-2012/12，主持；
6. 国家自然科学基金面上项目，51072007，无序对InGaN量子阱/纳米线异常发光性质的影响，2011/01-2013/12，参与；
7. 国家自然（地区）科学基金项目，10964007，纤锌矿氮化物特殊形状量子阱中电子-声子相互作用及相关问题，2010/01-2012/12，参与；
8. 国家自然（地区）科学基金项目，10765003，量子磁盘和层状铁磁薄膜上的损伤扩散，2008/01-2010/12，参与。
八、研究成果（论文，专著，专利，其他）
(1) Y. He, M. Zhang*, J.J. Shi, Two-dimensional g-C3N4/InSe heterostructure as a novel visible-light photocatalyst for overall water splitting: a first-principles study, J. Phys. D: Appl. Phys., 2019, 52(1): 015304.
(2) Y. He, M. Zhang*, J.J. Shi, Improvement of visible-light photocatalytic efficiency in a novel InSe/Zr2CO2 hetero- structure for overall water splitting, J. Phys. Chem. C ,2019, 123(20): 12781-12790.
(3) Y. M. Ding, J. J. Shi C. X. Xia, Min Zhang*, Enhancement of hole mobility in InSe monolayer via an InSe and black phosphorus heterostructure, Nanoscale, 2017, 9(38): 14682-14689.
(4) M. Zhang*, J.J. Shi, Influence of temperature and internal electric field on light emission in wurtzite GaN/AlGaN nanowire heterostructures, Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2017, 11(1-2): 36-41.
(5) Min Zhang*, Junjie Shi, Influence of pressure on donor bound exciton states in wurtzite InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures, Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2015, 9(5-6): 641-645.
(6) Zhang Min and Shi Jun-jie*, Electronic structure and magnetic properties of substitutional transition-metal atoms in GaN nanotubes, Chin. Phys. B, 2014, 23(1): 017301.
(7) Min Zhang and Jun-jie Shi*, Donor bound excitons confined in wurtzite InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures, International Journal of Modern Physics B, 2013, 27(32): 1350186.
(8) Min Zhang and Jun-jie Shi*, Influence of pressure on exciton states and interband optical transitions in wurtzite InGaN/GaN coupled quantum dot nanowire heterostructures with polarization and dielectric mismatch. J. Appl. Phys., 2012, 111(11):113516.
(9) Min Zhang and Jun-jie Shi*, Exciton states and interband optical transitions in wurtzite InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures: Effects of hydrostatic pressure, Physica E, 2011, 43(6):1281-1287.
(10) Min Zhang and Jun-jie Shi*, Exciton states and optical transitions in InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures: Strong built-in electric field and dielectric mismatch effects, Journal of Luminescence, 2011, 131(9):1908-1912.
(11) Min Zhang and Jun-jie Shi*, Exciton states and interband optical transitions in wurtzite InGaN/GaN quantum dot nanowire heterostructures, Superlattices and Microstructures, 2011, 50(5):529-538.
(12) Zhang Min and Ban S.L.*, Pressure influence on the Stark effect of impurity states in a strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunction. Chin. Phys. B, 2009, 18(10): 4449-4455.
(13) Zhang Min and Ban S.L.*, Screening influence on the Stark effect of impurity states in a strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunction under pressure. Chin. Phys. B, 2009, 18(12):5437-5442.